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围绕先进制程 CMP 工艺对研磨液配方稳定性、颗粒分散一致性及超低金属背景的关键要求进行系统化设计,面向晶圆制造与先进封装场景定制开发。
系统以半导体级湿法工艺标准为设计基准,适配多类型 CMP 研磨液体系,可在高洁净、全密闭运行环境中,实现基液、磨料浆体及功能添加剂的精确配比与均匀混合,稳定制备满足高端 CMP 工艺窗口要求的电子级研磨液。
硅溶胶、氧化铈、氧化铝等 CMP 研磨液及各类抛光添加剂的高精度配制与工艺级稳定供应
设备集成了高精度计量投加、高效均质混合、固含量与粒径在线监控、pH 与温度闭环调节、金属离子控制、在线过滤及多级安全联锁等核心模块,从混配源头降低颗粒波动、金属引入与团聚失稳风险;通过对混合能量、循环流场与配方变化过程的精细化控制,确保研磨液批次间性能高度一致。
系统可与前端磨料制备、后端过滤、储存及 CMP 供液系统无缝衔接,支持连续化、自动化运行,为半导体制造与先进封装提供安全、洁净、稳定的 CMP 研磨液制备解决方案。
原料储存与供料单元
循环输送泵组
缓冲与成品储罐
精密计量泵或质量流量控制装置
在线监测仪表(粒径、固含量、pH、温度、流量)
安全防护设施
混合与均质设备(静态混合器或动态搅拌模块)
精细过滤装置
PLC 自动化控制与电气系统
高纯溶剂 / 基液 → 功能组分计量 → 磨料引入 → 动态分散 → 稳定化调控 → 离子与颗粒控制 → 精密过滤 → CMP 研磨液 → CDS / 机台供液