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专为半导体湿法刻蚀工艺对反应速率、选择性与界面一致性的极致要求打造,面向 G5 级高纯蚀刻体系进行定制化设计。系统不仅关注配比准确,更核心在于对化学反应活性与刻蚀窗口的稳定控制,确保蚀刻过程中线宽、深度与侧壁形貌高度一致。
为晶圆制造、先进封装与高端显示刻蚀工序提供可验证、可量产、可长期稳定运行的电子级蚀刻液供给平台。
晶圆湿法刻蚀液
先进封装与显示面板用高纯蚀刻体系的高精度混配与工艺级稳定供液
系统在全密闭、高洁净环境中,对多种高纯酸、络合剂、氧化剂与缓冲组分进行顺序控制、分段混合与动态稳定化处理,避免瞬时浓度波动引发刻蚀失控。
通过 PLC 闭环控制对浓度、温度、ORP 与流量进行实时调节,使蚀刻液始终保持在最佳反应状态。设备可无缝对接后端灌装与 CDS 配供系统。
原液储存与供料单元
精密计量加料装置
混合与均质模块
关键工艺参数在线监测与闭环控制单元(浓度、温度、pH)
杂质与金属背景控制模块
在线过滤装置
缓冲与成品储罐
安全防护设施
PLC 自动化控制与电气系统
高纯酸 / 溶剂 → 反应性组分计量 → 缓冲体系构建 → 蚀刻活性调控 → 组成稳定化 → 金属离子控制 → 精密过滤 → 蚀刻液 → CDS / 工艺机台